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中科院:计算光刻技术取得重大进展 量变达到质变!

导读:光刻机卡在脖子上成了华为的心痛,也成了悬在我们头上的一把利剑。按理说,国内光刻技术短期内很难有大的突破,但只要循序渐进,从量变到质变,都可以有突破。据中科院官方网站消息,中科院上海光学精密机械研究所近日在光刻技术方面取得重要进展。 中科院计... 光刻机卡在脖子上成了华为的心痛,也成了悬在我们头上的一把利剑。按理说,国内光刻技术短期内很难有大的突破,但只要循序渐进,从量变到质变,都可以有突破。据中科院官方网站消息,中科院上海光学精密机械研究所近日在光刻技术方面取得重要进展。中科院计算光刻技术研究取得进展据中科院官网报道,上海光学机械近距离校正研究所信息光学与光电子技术实验室提出了一种基于虚拟边缘和带相位采样掩模像素的快速光学近距离效应校正技术,仿真结果表明,该技术具有较高的校正效率。本文通过调整掩模图像的透过率分布来校正光学接近效应,提高了图像质量。基于模型的OPC技术是90nm及以下工艺节点集成电路制作的关键计算光刻技术之一。中科院上海光学精密机械研究所此外,中科院还推广了计算光刻技术。所谓计算光刻技术,就是在光刻机软硬件不变的情况下,利用数学模型和软件算法,对光刻机的照明方式、掩模图案和工艺参数进行优化,可以有效地提高光刻分辨率,增加工艺窗口。这项技术被认为是按照摩尔定律继续发展集成电路芯片的新动力。原创:宋际金赞助本站


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